젠슨 황 엔비디아 최고경영자가 연례 개발자 회의 'GTC 2026' 기조연설에서 삼성전자를 특별히 언급하며 감사를 표하면서 양사 간 긴밀한 협력이 부각됐습니다. <br /> <br />황 CEO는 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP 센터에서 진행한 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하고 "삼성이 우리를 위해 '그록3' 언어 처리 장치, LPU 칩을 제조하고 있다"고 말했습니다. <br /> <br />또 "지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다"며 삼성에 정말 감사드린다"고 언급했습니다. <br /> <br />황 CEO는 해당 칩이 엔비디아의 차세대 AI 칩 '베라 루빈' 시스템에 탑재된다고 설명하면서 "올해 하반기, 아마 3분기쯤 출하가 시작될 것"이라고 말했습니다. <br /> <br />삼성전자도 GTC 행사장에 전시장을 마련해 차세대 HBM의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개하며 엔비디아와의 메모리 부문 협력을 적극적으로 홍보했습니다. <br /> <br />그록3 LPU는 엔비디아의 '루빈' 그래픽 처리 장치(GPU)와 역할을 나눠 추론 성능과 효율성을 높이는 칩입니다. <br /> <br />황 CEO의 이번 발언을 통해 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁 생산) 사업부가 생산하고 있다는 사실이 확인됐습니다. <br /> <br />이에 따라 삼성전자는 엔비디아의 GPU에 탑재되는 고대역폭 메모리(HBM) 외에 파운드리 부문에서도 엔비디아와의 협력을 대내외에 과시할 수 있게 됐습니다. <br /> <br />삼성전자가 올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 차세대 HBM인 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정입니다. <br /> <br />이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송 속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치입니다. <br /> <br />삼성전자는 HBM4 양산을 통해 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력을 축적했습니다. <br /> <br />이에 더해 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 토대로 HBM4E 개발 속도를 높인다는 계획입니다. <br /> <br />삼성전자는 HBM4E의 성능에 대해 메모리와 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 개발하고 있다고 설명했습니다. <br /> <br />삼성전자가 HBM4의 양산 출하 직후부터 HBM4E을 공개하고 나선 것은 SK하이닉스나 마이크론 등 다른 경쟁사와의 격차를 부각하기 위한 것으로 풀이됩니다. <br /> <br />특히 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wal... (중략)<br /><br />▶ 기사 원문 : https://www.ytn.co.kr/_ln/0134_202603171249101878<br />▶ 제보 안내 : http://goo.gl/gEvsAL, 모바일앱, social@ytn.co.kr, #2424<br /><br />▣ YTN 데일리모션 채널 구독 : http://goo.gl/oXJWJs<br /><br />[ 한국 뉴스 채널 와이티엔 / Korea News Channel YTN ]
